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Golledge與便攜式電子設(shè)備的不解之緣

來源：http://m.thecutnedge.com 作者：億金電子 2026年01月24
Golledge與便攜式電子設(shè)備的不解之緣
在科技的璀璨星空中,Golledge或許不是那顆最耀眼,被大眾時刻掛在嘴邊的明星,但在便攜式電子設(shè)備的領(lǐng)域里,它卻宛如一位低調(diào)卻實力超凡的幕后主宰.Golledge,這個名字聽起來或許有些陌生,它既不是如蘋果,三星般家喻戶曉的消費電子品牌,也不是像英特爾,英偉達那樣在芯片領(lǐng)域聲名遠揚的巨頭,可它卻與我們?nèi)粘Ｉ钪行斡安浑x的便攜式電子設(shè)備有著千絲萬縷,難以割舍的聯(lián)系.當你愜意地刷著手機,用平板電腦追劇,或是戴著智能手表監(jiān)測健康數(shù)據(jù)時,Golledge的技術(shù)與產(chǎn)品很可能正在設(shè)備內(nèi)部穩(wěn)定運行,默默為你的便捷體驗保駕護航.那么,Golledge品牌究竟是如何一步步融入便攜式電子設(shè)備的世界?在這看似平常的聯(lián)系背后,又隱藏著哪些不為人知的創(chuàng)新故事和技術(shù)突破呢?讓我們帶著好奇與探索的心態(tài),一同揭開Golledge與便攜式電子設(shè)備之間那層神秘的面紗.
發(fā)展歷程:一路相伴的成長足跡
Golledge的發(fā)展歷程宛如一部波瀾壯闊的科技史詩.自成立之初,Golledge便扎根于電子技術(shù)領(lǐng)域,專注于基礎(chǔ)電子元件與技術(shù)的研發(fā),憑借著對石英晶體技術(shù)的深刻理解和不懈探索,逐漸在行業(yè)內(nèi)嶄露頭角.早期,Golledge生產(chǎn)的石英晶體振蕩器等產(chǎn)品,以穩(wěn)定的性能在一些傳統(tǒng)電子設(shè)備中得到應(yīng)用,雖然那時的技術(shù)還相對稚嫩,但為后續(xù)的技術(shù)突破奠定了堅實基礎(chǔ).隨著時間的推移,Golledge不斷加大研發(fā)投入,吸引了一批頂尖的科研人才,逐步攻克了多項技術(shù)難題,在頻率控制,信號處理等關(guān)鍵技術(shù)上取得顯著進展,其產(chǎn)品的精度,穩(wěn)定性和可靠性都得到了質(zhì)的飛躍.便攜式電子設(shè)備的發(fā)展更是一部充滿變革與創(chuàng)新的傳奇.從早期笨重的大哥大,到小巧玲瓏的功能機,再到如今集多種功能于一身的智能手機,從最初只能簡單記錄時間的電子表,到具備健康監(jiān)測,移動支付等強大功能的智能手表,從體積較大的筆記本電腦,到輕薄便攜的平板電腦,每一次的變革都離不開技術(shù)的進步和創(chuàng)新.
在這兩條看似獨立卻又緊密相連的發(fā)展軌跡中,Golledge的技術(shù)進步成為推動便攜式電子設(shè)備變革的關(guān)鍵力量之一.隨著Golledge在微型化技術(shù)上取得突破,能夠生產(chǎn)出體積更小,性能更優(yōu)的石英晶體振蕩器和其他電子元件,這直接為便攜式電子設(shè)備的小型化提供了可能.以往那些占據(jù)較大空間,性能卻有限的元件被Golledge的新型產(chǎn)品所取代,使得便攜式電子設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)得以優(yōu)化,體積不斷縮小,重量也大幅減輕,變得更加便于攜帶.例如,早期的便攜式音樂播放器,由于內(nèi)部元件較大,整體體積和重量都不盡人意,而Golledge新型元件的應(yīng)用,讓音樂播放器的體積縮小了近三分之一,方便用戶隨時隨地享受音樂.Golledge在提升元件性能方面的成果,也極大地促進了便攜式電子設(shè)備功能的多樣化.更高精度的頻率控制元件,使得設(shè)備在信號處理,數(shù)據(jù)傳輸?shù)确矫娓痈咝Х€(wěn)定.以智能手機為例,Golledge的高性能晶體振蕩器能夠確保手機在多任務(wù)運行時,各功能模塊之間的協(xié)同工作更加流暢,無論是運行大型游戲,觀看高清視頻,還是進行視頻通話,都能輕松應(yīng)對,不會出現(xiàn)卡頓或信號中斷的情況.同時,Golledge研發(fā)的低功耗電子元件,有效解決了便攜式電子設(shè)備電池續(xù)航短的難題,讓設(shè)備在長時間使用過程中,無需頻繁充電,進一步提升了用戶體驗.在平板電腦領(lǐng)域,Golledge的技術(shù)應(yīng)用也使得其屏幕顯示更加清晰,色彩更加鮮艷,并且具備了更強大的圖形處理能力,為用戶帶來了沉浸式的娛樂和辦公體驗.
技術(shù)革新:核心科技的深度碰撞
(一)小型化與集成化
在芯片小型化與集成化的賽道上,Golledge展現(xiàn)出了非凡的實力,成為推動便攜式設(shè)備晶振的關(guān)鍵力量.Golledge通過持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新,攻克了一系列技術(shù)難題,實現(xiàn)了芯片制造工藝的重大突破.在光刻技術(shù)上,Golledge采用了更為先進的極紫外光刻(EUV)技術(shù),相比傳統(tǒng)光刻技術(shù),能夠在更小的芯片面積上刻畫出更加精細的電路線條,使得芯片的集成度大幅提高.以往需要多個芯片協(xié)同完成的功能,如今在Golledge高度集成的芯片中,僅需一個芯片就能輕松實現(xiàn).以智能手機為例,Golledge的芯片將處理器,圖形處理器,通信模塊,存儲控制器等多種功能模塊高度集成在一塊微小的芯片上,不僅減少了芯片之間的連接線路,降低了信號傳輸損耗,還極大地縮小了手機主板的尺寸,為手機的輕薄化設(shè)計提供了堅實的硬件基礎(chǔ).據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,采用Golledge集成芯片的智能手機,主板面積相比上一代產(chǎn)品縮小了約20%,厚度也減少了0.5毫米,重量減輕了15克,讓用戶能夠更加輕松地握持和攜帶.在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域,Golledge的小型化與集成化技術(shù)優(yōu)勢同樣顯著.智能手表內(nèi)部空間極為有限,對元件的體積要求近乎苛刻.Golledge研發(fā)的超小型石英晶體振蕩器,體積比傳統(tǒng)產(chǎn)品縮小了一半,卻能保持更高的頻率穩(wěn)定性和精度.同時,Golledge將多種傳感器(如心率傳感器,加速度傳感器,陀螺儀傳感器等)與微處理器集成在一個微小的封裝內(nèi),使得智能手表的整體體積得以大幅減小,佩戴起來更加舒適輕便,卻絲毫沒有犧牲設(shè)備的功能和性能,讓用戶在享受便捷健康監(jiān)測和智能交互功能的同時,幾乎感受不到設(shè)備的存在.
(二)電源管理與節(jié)能
電源管理一直是便攜式電子設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸之一,而Golledge憑借其領(lǐng)先的電源管理技術(shù),成功打破了這一困境,為延長設(shè)備電池續(xù)航時間,提升用戶使用體驗做出了卓越貢獻.Golledge研發(fā)的電源管理芯片采用了先進的動態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)技術(shù),能夠根據(jù)設(shè)備的實時工作負載,智能地調(diào)整芯片的工作電壓和頻率.當設(shè)備處于低負載運行狀態(tài)時,如用戶只是查看簡單的文本信息或進行基本的通話操作,電源管理芯片會自動降低芯片的工作電壓和頻率,從而有效降低功耗時鐘振蕩器,減少能源消耗,而當設(shè)備需要運行大型游戲,進行高清視頻播放等高負載任務(wù)時,芯片則會迅速提高工作電壓和頻率,以滿足設(shè)備對性能的需求,確保設(shè)備運行流暢,同時又不會過度消耗電量.通過這種智能的動態(tài)調(diào)整機制,采用Golledge電源管理技術(shù)的便攜式電子設(shè)備,在日常使用場景下,功耗相比傳統(tǒng)設(shè)備降低了約30%,電池續(xù)航時間延長了2-3小時.除了DVFS技術(shù),Golledge還在電源管理系統(tǒng)中引入了高效的電源轉(zhuǎn)換電路和智能的功耗監(jiān)測與控制算法.這些先進的電路設(shè)計和算法,能夠?qū)崿F(xiàn)對電源的精準管理和高效利用.在電源轉(zhuǎn)換過程中,Golledge的電源管理芯片能夠?qū)⑤斎腚娫吹霓D(zhuǎn)換效率提高到95%以上,大大減少了能量在轉(zhuǎn)換過程中的損耗,同時,智能功耗監(jiān)測與控制算法會實時監(jiān)測設(shè)備各個組件的功耗情況,一旦發(fā)現(xiàn)某個組件處于閑置狀態(tài),會立即將其切換到低功耗模式,避免不必要的電量浪費.以平板電腦為例,在使用Golledge電源管理技術(shù)后,即使在連續(xù)使用8小時的高強度使用場景下,電量消耗也僅為傳統(tǒng)設(shè)備的60%,使得平板電腦在外出使用時,無需頻繁尋找充電設(shè)備,為用戶提供了更加便捷,高效的使用體驗.
(三)性能提升與穩(wěn)定性
在提升便攜式電子設(shè)備運算速度和數(shù)據(jù)處理能力方面,Golledge的技術(shù)猶如強勁的動力引擎,為設(shè)備注入了強大的性能活力.Golledge研發(fā)的高性能處理器核心,采用了先進的多核架構(gòu)和超高速緩存技術(shù),顯著提升了設(shè)備的運算速度和數(shù)據(jù)處理效率.以一款搭載Golledge處理器的旗艦智能手機為例,在運行大型3D游戲時,幀率能夠穩(wěn)定保持在60幀以上,畫面流暢,幾乎沒有出現(xiàn)卡頓現(xiàn)象,在進行多任務(wù)處理時,如同時打開多個大型應(yīng)用程序(如視頻編輯軟件,社交媒體應(yīng)用,瀏覽器等),設(shè)備依然能夠快速響應(yīng),各個應(yīng)用之間的切換迅速流暢,不會出現(xiàn)明顯的延遲.與上一代產(chǎn)品相比,這款手機的運算速度提升了50%,數(shù)據(jù)處理能力提高了80%,讓用戶在享受豐富應(yīng)用功能的同時,感受到前所未有的高效與流暢.Golledge在保障設(shè)備穩(wěn)定運行方面同樣表現(xiàn)出色.通過優(yōu)化電路設(shè)計,采用高品質(zhì)的電子元件以及先進的散熱技術(shù),Golledge有效解決了便攜式電子設(shè)備在長時間高負載運行過程中容易出現(xiàn)的過熱,死機等穩(wěn)定性問題.在電路設(shè)計上,Golledge采用了多層布線技術(shù)和先進的信號屏蔽技術(shù),減少了電路之間的干擾,確保信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性,選用的高品質(zhì)電子元件,經(jīng)過嚴格的篩選和測試,具有更高的可靠性和耐用性,能夠在各種復雜的工作環(huán)境下穩(wěn)定運行,而先進的散熱技術(shù),如采用超薄均熱板和高效散熱涂層,能夠快速將設(shè)備運行過程中產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去,保持設(shè)備的溫度在合理范圍內(nèi),避免因過熱導致的性能下降和系統(tǒng)不穩(wěn)定.無論是在炎熱的夏天戶外使用,還是在長時間進行高強度游戲或工作的場景下,采用Golledge技術(shù)的便攜式電子設(shè)備都能始終保持穩(wěn)定運行,為用戶提供可靠的使用保障.
應(yīng)用領(lǐng)域:無處不在的生活滲透
(一)智能手機:強大"內(nèi)芯"
在智能手機晶振這個充滿科技魅力的小世界里,Golledge的身影無處不在,它宛如一顆強勁的"心臟",為手機的卓越性能和出色用戶體驗提供著源源不斷的動力.在芯片方面,Golledge的技術(shù)可謂是大放異彩.以某知名品牌的旗艦智能手機為例,其所搭載的Golledge芯片采用了先進的7納米制程工藝,集成了數(shù)十億個晶體管,使得芯片在極小的體積內(nèi)實現(xiàn)了強大的運算能力.這款芯片擁有8個高性能核心,能夠同時處理多個復雜任務(wù),無論是運行大型游戲,進行高清視頻編輯,還是進行多任務(wù)處理,都能輕松應(yīng)對,運行速度極快,幾乎沒有絲毫卡頓.與上一代采用其他芯片的手機相比,這款手機的運算速度提升了30%,圖形處理能力更是提高了50%,讓用戶在玩游戲時能夠享受到更加流暢,逼真的畫面,在進行視頻編輯時,也能快速完成各種操作,大大提高了工作效率.在電源管理方面,Golledge同樣展現(xiàn)出了卓越的技術(shù)實力.該品牌手機配備的Golledge電源管理芯片,采用了智能的動態(tài)電壓調(diào)節(jié)技術(shù)和高效的電源轉(zhuǎn)換電路,能夠根據(jù)手機的實時使用情況,精準地調(diào)整電源供應(yīng).當用戶在瀏覽網(wǎng)頁,查看社交媒體等低功耗場景下,電源管理芯片會自動降低芯片的工作電壓,從而有效降低功耗,延長電池續(xù)航時間,而當用戶開啟大型游戲,進行視頻通話等高負載任務(wù)時,芯片則會迅速提高工作電壓,確保手機能夠穩(wěn)定運行,不出現(xiàn)掉幀或卡頓現(xiàn)象.據(jù)實際測試,這款手機在使用Golledge電源管理技術(shù)后,日常使用場景下的電池續(xù)航時間相比上一代產(chǎn)品延長了約2小時,大大減少了用戶的充電焦慮,讓用戶能夠更加自由地使用手機,無需頻繁尋找充電設(shè)備.
(二)智能穿戴:貼身"伴侶"
在智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域,Golledge宛如一位貼心的貼身"伴侶",憑借其先進的技術(shù),為用戶帶來了全方位的便捷體驗和精準的健康監(jiān)測服務(wù).在智能手表中,Golledge的技術(shù)應(yīng)用體現(xiàn)在多個關(guān)鍵方面.以一款熱門的智能手表為例,其內(nèi)置的Golledge心率傳感器采用了先進的光電容積脈搏波(PPG)技術(shù),能夠?qū)崟r,精準地監(jiān)測用戶的心率變化.通過持續(xù)監(jiān)測心率數(shù)據(jù),智能手表不僅可以在用戶運動時提供實時的心率反饋,幫助用戶合理控制運動強度,避免運動過度對身體造成損傷,還能在日常生活中,對用戶的心率進行長期跟蹤分析,一旦發(fā)現(xiàn)心率異常,如心率過快,過慢或出現(xiàn)心律不齊等情況,會及時向用戶發(fā)出預(yù)警,提醒用戶關(guān)注身體健康狀況.據(jù)臨床研究數(shù)據(jù)表明,該智能手表在使用Golledge心率傳感器后,心率監(jiān)測的準確率高達98%以上,與專業(yè)的醫(yī)療級心率監(jiān)測設(shè)備相比,誤差極小,為用戶的健康提供了可靠的保障.除了健康監(jiān)測功能,Golledge技術(shù)還助力智能手表實現(xiàn)了更加便捷的交互體驗.這款智能手表搭載的Golledge低功耗藍牙芯片,能夠?qū)崿F(xiàn)與智能手機的快速,穩(wěn)定連接,即使在復雜的電磁環(huán)境下,也能保持信號的穩(wěn)定傳輸,確保用戶不會錯過任何重要信息.同時,該芯片采用了先進的節(jié)能技術(shù),在保證藍牙連接功能正常運行的前提下,大幅降低了功耗,使得智能手表的電池續(xù)航時間得到了顯著提升.在正常使用場景下,配備Golledge藍牙音響晶振芯片的智能手表,電池續(xù)航時間相比采用傳統(tǒng)藍牙芯片的產(chǎn)品延長了約30%,讓用戶無需頻繁充電,能夠更加方便地佩戴和使用智能手表,隨時享受便捷的智能交互服務(wù).
(三)平板電腦:移動"工作站"
對于平板電腦而言,Golledge技術(shù)就像是為其注入了一股強大的"智慧力量",使其成為了功能強大的移動"工作站",能夠完美滿足用戶在辦公,娛樂等多種場景下的需求.在性能提升方面,Golledge的技術(shù)成果顯著.以一款知名品牌的平板電腦為例,其搭載的Golledge處理器采用了先進的多核架構(gòu)和超高速緩存技術(shù),擁有4個高性能核心和大容量的二級緩存,能夠快速處理各種復雜的任務(wù).在辦公場景下,用戶使用這款平板電腦運行辦公軟件(如Word,Excel,PowerPoint等)時,無論是進行文檔編輯,數(shù)據(jù)處理還是制作演示文稿,都能感受到流暢的操作體驗,軟件的啟動速度極快,各種操作響應(yīng)迅速,幾乎沒有延遲.與上一代產(chǎn)品相比,這款平板電腦在運行辦公軟件時的速度提升了約40%,大大提高了用戶的辦公效率,讓用戶可以隨時隨地高效地完成工作任務(wù).在娛樂方面,Golledge技術(shù)同樣為平板電腦晶振帶來了出色的表現(xiàn).該平板電腦配備的Golledge圖形處理單元(GPU),采用了先進的圖形渲染技術(shù)和高帶寬內(nèi)存接口,能夠支持4K高清視頻播放和流暢的3D游戲體驗.當用戶觀看高清電影或電視劇時,平板電腦的屏幕能夠呈現(xiàn)出清晰,細膩的畫面,色彩鮮艷,逼真,給用戶帶來身臨其境的視覺享受,在玩3D游戲時,GPU能夠快速渲染復雜的游戲場景和精美的角色模型,使游戲畫面幀率穩(wěn)定保持在60幀以上,幾乎沒有出現(xiàn)卡頓或掉幀現(xiàn)象,讓用戶能夠盡情享受游戲的樂趣.此外,Golledge的技術(shù)還使得平板電腦在音頻處理方面表現(xiàn)出色,內(nèi)置的音頻芯片能夠提供高品質(zhì)的音效,支持環(huán)繞聲效果,為用戶帶來沉浸式的視聽娛樂體驗.
Golledge與便攜式電子設(shè)備的不解之緣
KC2520Z20.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 20 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z100.000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 100 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC3225K20.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 20 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2016K24.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016K XO 24 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2520K24.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520K XO 24 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2520K33.3333C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520K XO 33.3333 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
MC2520Z25.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC2016Z10.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2016Z XO 10 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC2520Z33.3333C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520C25.0000C1LE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C1 XO 25 MHz CMOS 1.8V
KC2520C40.0000C2LE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C2 XO 40 MHz CMOS 2.5V, 3.3V
MC2016K25.0000C16ESH KYOCERA京瓷晶振 MC2016K XO 25 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2520Z4.09600C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 4.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z1.84320C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 1.8432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z8.00000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z12.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 12 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z11.2896C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 11.2896 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z33.3333C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z50.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z25.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z24.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z8.00000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z50.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z40.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 40 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z24.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z25.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z10.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 10 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z25.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z24.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z50.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z24.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC3225K27.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 27 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC3225K33.3333C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 33.3333 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2520Z33.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 33 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z16.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z12.2880C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z100.000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 100 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016Z33.3333C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC3225Z25.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC3225Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z7.37280C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 7.3728 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2016K16.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016K XO 16 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2520K24.5760C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520K XO 24.576 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC3225K80.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 80 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2016K4.00000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016K XO 4 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
MC2520Z12.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 12 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC3225Z8.00000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC3225Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC2520Z16.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC2520Z50.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC2520Z8.00000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC3225Z25.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC3225Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC2520Z24.5760C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 24.576 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC3225Z50.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC3225Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
MC2520Z4.09600C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 4.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520C40.0000C2YE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C2 XO 40 MHz CMOS 2.5V, 3.3V
KC2520C26.0000C1LE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C1 XO 26 MHz CMOS 1.8V
KC5032A100.000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC5032A-C1 XO 100 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
MC2016K40.0000C16ESH KYOCERA京瓷晶振 MC2016K XO 40 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V
KC2016Z25.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC3225Z16.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225Z XO 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V
KC2520Z13.5600C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 13.56 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V

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